casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQI27N25TU-F085
codice articolo del costruttore | FQI27N25TU-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FQI27N25TU-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FQI27N25TU-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 417W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI27N25TU-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQI27N25TU-F085-FT |
IRF7580MTRPBF
Infineon Technologies
IRF7780MTRPBF
Infineon Technologies
IRL7486MTRPBF
Infineon Technologies
IRFH5304TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5004TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5300TRPBF
Infineon Technologies
IRLH5030TRPBF
Infineon Technologies
IRF40H210
Infineon Technologies
IRFH5004TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5010TR2PBF
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel