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ON Semiconductor FQI27P06TU

Numero parte MFG
FQI27P06TU
quantità disponibile
59760 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FQI27P06TU specificazioni

codice articolo del costruttore FQI27P06TU
Numero di parte futuro FT-FQI27P06TU
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQI27P06TU Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 120W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI27P06TU Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQI27P06TU-FT

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