casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQI27N25TU
codice articolo del costruttore | FQI27N25TU |
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Numero di parte futuro | FT-FQI27N25TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQI27N25TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI27N25TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQI27N25TU-FT |
IRF60DM206
Infineon Technologies
IRF7580MTRPBF
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XC4005E-1PQ100C
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10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
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XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
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