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EPC EPC2100ENGRT

Numero parte MFG
EPC2100ENGRT
quantità disponibile
57310 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.7696
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Data di spedizione
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fabbricante
EPC
Breve descrizione
eGaN® GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-EPC2100ENGRT
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie eGaN®
EPC2100ENGRT Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2100ENGRT Peso Contattaci
Numero parte di ricambio EPC2100ENGRT-FT

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