casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EPC2100ENGRT
codice articolo del costruttore | EPC2100ENGRT |
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Numero di parte futuro | FT-EPC2100ENGRT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2100ENGRT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2100ENGRT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2100ENGRT-FT |
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies
BTS7904BATMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
LCMXO2280E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144M
Microsemi Corporation
10M16DAF484I7G
Intel
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2SG
Intel
10AX032E1F29I1SG
Intel
EP20K100BC356-2
Intel
EPF10K100ABC356-2
Intel