casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSC750N10NDGATMA1
codice articolo del costruttore | BSC750N10NDGATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC750N10NDGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC750N10NDGATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 50V |
Potenza - Max | 26W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC750N10NDGATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC750N10NDGATMA1-FT |
APTM10TAM09FPG
Microsemi Corporation
APTM10TAM19FPG
Microsemi Corporation
APTM20TAM16FPG
Microsemi Corporation
APTM50TAM65FPG
Microsemi Corporation
APTM08TDUM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TDU35PG
Microsemi Corporation
APTM10TDUM09PG
Microsemi Corporation
APTM10TDUM19PG
Microsemi Corporation
APTM120TA57FPG
Microsemi Corporation
APTM120TDU57PG
Microsemi Corporation
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation