casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSC750N10NDGATMA1
codice articolo del costruttore | BSC750N10NDGATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC750N10NDGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC750N10NDGATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 50V |
Potenza - Max | 26W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC750N10NDGATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC750N10NDGATMA1-FT |
APTM10TAM09FPG
Microsemi Corporation
APTM10TAM19FPG
Microsemi Corporation
APTM20TAM16FPG
Microsemi Corporation
APTM50TAM65FPG
Microsemi Corporation
APTM08TDUM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TDU35PG
Microsemi Corporation
APTM10TDUM09PG
Microsemi Corporation
APTM10TDUM19PG
Microsemi Corporation
APTM120TA57FPG
Microsemi Corporation
APTM120TDU57PG
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
A10V10B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3C25F256C6
Intel
5SGXMA3E1H29C2N
Intel
5SGXEA5N3F45C3N
Intel
EP4SGX290KF43C3
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation