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Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1

Numero parte MFG
BSC750N10NDGATMA1
quantità disponibile
56720 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.503272
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-BSC750N10NDGATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSC750N10NDGATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 50V
Potenza - Max 26W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8 Dual
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC750N10NDGATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSC750N10NDGATMA1-FT

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