casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DF11MR12W1M1B11BPSA1
codice articolo del costruttore | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 50A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 800V |
Potenza - Max | 20mW |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | AG-EASY1BM-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF11MR12W1M1B11BPSA1-FT |
APTM50TAM65FPG
Microsemi Corporation
APTM08TDUM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TDU35PG
Microsemi Corporation
APTM10TDUM09PG
Microsemi Corporation
APTM10TDUM19PG
Microsemi Corporation
APTM120TA57FPG
Microsemi Corporation
APTM120TDU57PG
Microsemi Corporation
APTM20TDUM16PG
Microsemi Corporation
APTM50TDUM65PG
Microsemi Corporation
APTMC60TL11CT3AG
Microsemi Corporation
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL010ZE144I8G
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
10AX057K4F35E3LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel