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Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1

Name: BSC072N03LDGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC072N03LDGATMA1
Price: 0.465704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (583 reviews)

Numero parte MFG: BSC072N03LDGATMA1

quantità disponibile: 66840 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.465704

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSC072N03LDGATMA1.pdf

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BSC072N03LDGATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSC072N03LDGATMA1
Numero di parte futuro	FT-BSC072N03LDGATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC072N03LDGATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 15V
Potenza - Max	57W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8 Dual
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC072N03LDGATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSC072N03LDGATMA1-FT

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