casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FF23MR12W1M1B11BOMA1
codice articolo del costruttore | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
Potenza - Max | 20mW |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF23MR12W1M1B11BOMA1-FT |
APTC80TA15PG
Microsemi Corporation
APTC80TDU15PG
Microsemi Corporation
APTM08TAM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TA35FPG
Microsemi Corporation
APTM10TAM09FPG
Microsemi Corporation
APTM10TAM19FPG
Microsemi Corporation
APTM20TAM16FPG
Microsemi Corporation
APTM50TAM65FPG
Microsemi Corporation
APTM08TDUM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TDU35PG
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
Intel
EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
Intel
EP2AGX65DF29I3
Intel