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Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Numero parte MFG
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- quantità disponibile
- 21910 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 77.928
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- CoolSiC™ MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
FF23MR12W1M1B11BOMA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CoolSiC™ |
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FF23MR12W1M1B11BOMA1-FT |
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