casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FF23MR12W1M1B11BOMA1
codice articolo del costruttore | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
Potenza - Max | 20mW |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF23MR12W1M1B11BOMA1-FT |
APTC80TA15PG
Microsemi Corporation
APTC80TDU15PG
Microsemi Corporation
APTM08TAM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TA35FPG
Microsemi Corporation
APTM10TAM09FPG
Microsemi Corporation
APTM10TAM19FPG
Microsemi Corporation
APTM20TAM16FPG
Microsemi Corporation
APTM50TAM65FPG
Microsemi Corporation
APTM08TDUM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TDU35PG
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
APA450-FG484A
Microsemi Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5N
Intel
EP20K200EFC672-2X
Intel
10M16DAF256I6G
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XC4003E-4PC84I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQG100
Microsemi Corporation