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Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1

Name: DF23MR12W1M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF23MR12W1M1B11BOMA1
Price: 74.94 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (586 reviews)

Numero parte MFG: DF23MR12W1M1B11BOMA1

quantità disponibile: 88960 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 74.94

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 25A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf

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DF23MR12W1M1B11BOMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	DF23MR12W1M1B11BOMA1
Numero di parte futuro	FT-DF23MR12W1M1B11BOMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolSiC™
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	620nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 800V
Potenza - Max	20mW
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DF23MR12W1M1B11BOMA1-FT

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