casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / DME201020R
codice articolo del costruttore | DME201020R |
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Numero di parte futuro | FT-DME201020R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DME201020R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 130MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini5-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME201020R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DME201020R-FT |
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5SGXEA7K1F40I2N
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