casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / DMA202010R
codice articolo del costruttore | DMA202010R |
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Numero di parte futuro | FT-DMA202010R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMA202010R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini5-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA202010R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMA202010R-FT |
US6T8TR
Rohm Semiconductor
US6X7TR
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EX64-FTQ100
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XC6SLX150T-N3FG676C
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
10M08DAF484C8GES
Intel
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation