codice articolo del costruttore | US6X7TR |
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Numero di parte futuro | FT-US6X7TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US6X7TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potenza - Max | 400mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6X7TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US6X7TR-FT |
ULN2003D1
STMicroelectronics
ULQ2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1
STMicroelectronics
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EX64-TQ64I
Microsemi Corporation
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP4CGX75CF23C6
Intel
5SGXEBBR3H43I4N
Intel
XC2VP7-5FFG672C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FGG144
Microsemi Corporation