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codice articolo del costruttore | CM200RX-12A |
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Numero di parte futuro | FT-CM200RX-12A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
CM200RX-12A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 735W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 27nF @ 10V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM200RX-12A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CM200RX-12A-FT |
BSM30GD60DLCBOSA1
Infineon Technologies
BSM30GD60DLCE3224
Infineon Technologies
BSM30GP60BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM35GD120DLCE3224BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GD120DN2
Infineon Technologies
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GP120GBOSA1
Infineon Technologies
BSM400GA120DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM400GA120DN2HOSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C9ES
Intel
5SEEBF45I2L
Intel
5SGXEA7K3F35C2L
Intel
EP1S40F1020C7
Intel