casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM35GD120DN2E3224BOSA1
codice articolo del costruttore | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM35GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C8ES
Intel
5SGXEA5N2F40C2N
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-2
Intel