casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM35GD120DN2E3224BOSA1
codice articolo del costruttore | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM35GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT50A1202G
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APTGT50A120D1G
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APTGT50A120TG
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APTGT50A170D1G
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APTGT50A60T1G
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APTGT50DA120D1G
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APTGT50DA170D1G
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APTGT50DA170T1G
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APTGT50DA170TG
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APTGT50DH120T3G
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