casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM35GD120DLCE3224BOSA1
codice articolo del costruttore | BSM35GD120DLCE3224BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM35GD120DLCE3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 80µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM35GD120DLCE3224BOSA1-FT |
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
5SEE9H40C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
10AX057K2F40I2LG
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel