casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM35GD120DLCE3224BOSA1
codice articolo del costruttore | BSM35GD120DLCE3224BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM35GD120DLCE3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 80µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM35GD120DLCE3224BOSA1-FT |
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
Intel