casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM35GD120DN2
codice articolo del costruttore | BSM35GD120DN2 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM35GD120DN2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM35GD120DN2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DN2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM35GD120DN2-FT |
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel