casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM30GP60BOSA1
codice articolo del costruttore | BSM30GP60BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM30GP60BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM30GP60BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 180W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 30A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 300nA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM30GP60BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM30GP60BOSA1-FT |
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
A3PN015-1QNG68
Microsemi Corporation
XC4028XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C2LN
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA3K3F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation