casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM35GP120GBOSA1
codice articolo del costruttore | BSM35GP120GBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM35GP120GBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM35GP120GBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Potenza - Max | 230W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.5nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GP120GBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM35GP120GBOSA1-FT |
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
XCS40XL-5BG256C
Xilinx Inc.
XC7S15-1CPGA196I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation