casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BUF420AW
codice articolo del costruttore | BUF420AW |
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Numero di parte futuro | FT-BUF420AW |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BUF420AW Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4A, 20A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | 200W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUF420AW Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUF420AW-FT |
2SC3325-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TMBT3906,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1162S-GR,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1162S-Y, LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1162S-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1721OTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1721RTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2859-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2859-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2859-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation