casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1721OTE85LF
codice articolo del costruttore | 2SA1721OTE85LF |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1721OTE85LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1721OTE85LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1721OTE85LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1721OTE85LF-FT |
2SC2229-Y(SAN2,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6MITIFM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6ONK1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2235(T6KMAT,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PN015-QNG68I
Microsemi Corporation
XC6VCX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
10M16DCF256I6G
Intel
5SGXMA4K3F40I4N
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EPF10K10AQC208-3N
Intel