casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / TMBT3906,LM
codice articolo del costruttore | TMBT3906,LM |
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Numero di parte futuro | FT-TMBT3906,LM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TMBT3906,LM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 320mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TMBT3906,LM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TMBT3906,LM-FT |
2SC2229-O(T6SHP1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(TE6,F,M)
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2SC2229-Y(MIT,F,M)
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2SC2229-Y(MIT1,F,M
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2SC2229-Y(SAN2,F,M
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2SC2229-Y(SHP,F,M)
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2SC2229-Y(SHP1,F,M
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2SC2229-Y(T6MIT1FM
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2SC2229-Y(T6MITIFM
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2SC2229-Y(T6ONK1FM
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10AX027H3F34I2LG
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5SGXEA7H3F35C2LN
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5SGSMD5H3F35C2LN
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EP3SL150F1152C3N
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LFE2M35E-6FN484I
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