casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1162S-GR,LF(D
codice articolo del costruttore | 2SA1162S-GR,LF(D |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1162S-GR,LF(D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1162S-GR,LF(D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1162S-GR,LF(D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1162S-GR,LF(D-FT |
2SC2229-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(MIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(MIT1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SAN2,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6MITIFM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6ONK1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel