casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC2859-O(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | 2SC2859-O(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-2SC2859-O(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC2859-O(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2859-O(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC2859-O(TE85L,F)-FT |
2SC2229-Y(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6MITIFM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6ONK1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2235(T6KMAT,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2235-O(FA1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2235-O(T6ASN,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2235-O(T6FJT,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.