casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF7734M2TR
codice articolo del costruttore | AUIRF7734M2TR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF7734M2TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF7734M2TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2545pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ M2 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric M2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7734M2TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF7734M2TR-FT |
IPS09N03LA G
Infineon Technologies
IPS09N03LB G
Infineon Technologies
IPS105N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS10N03LA G
Infineon Technologies
IPS110N12N3GBKMA1
Infineon Technologies
IPS118N10N G
Infineon Technologies
IPS12CN10LGBKMA1
Infineon Technologies
IPS135N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS13N03LA G
Infineon Technologies
IPS20N03L G
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel