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Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005

Numero parte MFG
BSM120D12P2C005
quantità disponibile
95030 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 298.632
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BSM120D12P2C005
Numero di parte futuro FT-BSM120D12P2C005
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BSM120D12P2C005 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V
Potenza - Max 780W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM120D12P2C005 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSM120D12P2C005-FT

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