casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJQ900E-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJQ900E-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJQ900E-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJQ900E-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 20V |
Potenza - Max | 75W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJQ900E-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJQ900E-T1_GE3-FT |
ALD1102BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1110ESAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1115SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114904ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114913SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114935SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD212900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XC4005XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
LCMXO2-7000ZE-1FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R4F40E3SG
Intel
EP20K400EBC652-2
Intel