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Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3
- Numero parte MFG
- SQJ262EP-T1_GE3
- quantità disponibile
- 16980 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.47232
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
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- fabbricante
- Vishay Siliconix
- Breve descrizione
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SQJ262EP-T1_GE3.pdf
SQJ262EP-T1_GE3 specificazioni
| codice articolo del costruttore | SQJ262EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SQJ262EP-T1_GE3 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| SQJ262EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc), 40A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V, 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V |
| Potenza - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SQJ262EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SQJ262EP-T1_GE3-FT |
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