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Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3

Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3
Price: 0.389664 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (709 reviews)

Numero parte MFG: SIZ200DT-T1-GE3

quantità disponibile: 11380 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.389664

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH DUAL 30V

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIZ200DT-T1-GE3.pdf

SIZ200DT-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIZ200DT-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIZ200DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIZ200DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Potenza - Max	4.3W (Ta), 33W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ200DT-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIZ200DT-T1-GE3-FT

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