casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJ990EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ990EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ990EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ990EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V, 15nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V |
Potenza - Max | 48W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ990EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ990EP-T1_GE3-FT |
ALD1101BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1110ESAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1115SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114904ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114913SAL
Advanced Linear Devices Inc.
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
A10V10B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3C25F256C6
Intel
5SGXMA3E1H29C2N
Intel
5SGXEA5N3F45C3N
Intel
EP4SGX290KF43C3
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation