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Vishay Siliconix SIZ328DT-T1-GE3

Name: SIZ328DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ328DT-T1-GE3
Price: 0.32544 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (342 reviews)

Numero parte MFG: SIZ328DT-T1-GE3

quantità disponibile: 70990 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.32544

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIZ328DT-T1-GE3.pdf

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SIZ328DT-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIZ328DT-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIZ328DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIZ328DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Potenza - Max	2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-Power33 (3x3)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ328DT-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIZ328DT-T1-GE3-FT

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