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Infineon Technologies IPW60R090CFD7XKSA1

Name: IPW60R090CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R090CFD7XKSA1
Price: 6.456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (25 reviews)

Numero parte MFG: IPW60R090CFD7XKSA1

quantità disponibile: 96530 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 6.456

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ HIGH POWERNEW

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPW60R090CFD7XKSA1.pdf

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IPW60R090CFD7XKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPW60R090CFD7XKSA1
Numero di parte futuro	FT-IPW60R090CFD7XKSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPW60R090CFD7XKSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 570µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2103pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW60R090CFD7XKSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPW60R090CFD7XKSA1-FT

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