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codice articolo del costruttore | IPW60R055CFD7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R055CFD7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPW60R055CFD7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3194pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 178W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R055CFD7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R055CFD7XKSA1-FT |
IPS118N10N G
Infineon Technologies
IPS12CN10LGBKMA1
Infineon Technologies
IPS135N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS13N03LA G
Infineon Technologies
IPS20N03L G
Infineon Technologies
IPS50R520CP
Infineon Technologies
IPS65R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS65R1K5CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS65R600E6AKMA1
Infineon Technologies
IPS70R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel