casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / APT20SCD120S
codice articolo del costruttore | APT20SCD120S |
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Numero di parte futuro | FT-APT20SCD120S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT20SCD120S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 68A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 1135pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT20SCD120S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT20SCD120S-FT |
JANTXV1N6640
M/A-Com Technology Solutions
JANTXV1N6640US
M/A-Com Technology Solutions
JAN1N6627US
Microsemi Corporation
JAN1N6620US
Microsemi Corporation
JAN1N5822
Microsemi Corporation
JAN1N5819UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N5811US
Microsemi Corporation
JAN1N5806
Microsemi Corporation
JAN1N5711-1
Microsemi Corporation
JAN1N5622
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel