casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6627US
codice articolo del costruttore | JAN1N6627US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6627US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
JAN1N6627US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 440V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 1.2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 440V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, E |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6627US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6627US-FT |
CDLL6675
Microsemi Corporation
CDLL6676
Microsemi Corporation
CDLL4150
Microsemi Corporation
CDLL4153
Microsemi Corporation
1N3595UR-1
Microsemi Corporation
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
Microsemi Corporation
CDLL3600
Microsemi Corporation
CDLL4148
Microsemi Corporation
CDLL4454
Microsemi Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel