casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5819UR-1
codice articolo del costruttore | JAN1N5819UR-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N5819UR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/586 |
JAN1N5819UR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB (MELF, LL41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5819UR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5819UR-1-FT |
CDLL4153
Microsemi Corporation
1N3595UR-1
Microsemi Corporation
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
Microsemi Corporation
CDLL3600
Microsemi Corporation
CDLL4148
Microsemi Corporation
CDLL4454
Microsemi Corporation
1N4531UR
Microsemi Corporation
1N483BUR
Microsemi Corporation
1N485BUR
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel