casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5622
codice articolo del costruttore | JAN1N5622 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N5622 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
JAN1N5622 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5622 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5622-FT |
CDLL3600
Microsemi Corporation
CDLL4148
Microsemi Corporation
CDLL4454
Microsemi Corporation
1N4531UR
Microsemi Corporation
1N483BUR
Microsemi Corporation
1N485BUR
Microsemi Corporation
1N645UR-1
Microsemi Corporation
CDLL0.2A20
Microsemi Corporation
CDLL0.2A30
Microsemi Corporation
CDLL0.2A40
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel