casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5806
codice articolo del costruttore | JAN1N5806 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN1N5806 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5806 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5806 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5806-FT |
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
Microsemi Corporation
CDLL3600
Microsemi Corporation
CDLL4148
Microsemi Corporation
CDLL4454
Microsemi Corporation
1N4531UR
Microsemi Corporation
1N483BUR
Microsemi Corporation
1N485BUR
Microsemi Corporation
1N645UR-1
Microsemi Corporation
CDLL0.2A20
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel