casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N6640US
codice articolo del costruttore | JANTXV1N6640US |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N6640US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/578 & /609 |
JANTXV1N6640US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, D |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5D |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6640US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N6640US-FT |
CDLL5712
Microsemi Corporation
CDLL6675
Microsemi Corporation
CDLL6676
Microsemi Corporation
CDLL4150
Microsemi Corporation
CDLL4153
Microsemi Corporation
1N3595UR-1
Microsemi Corporation
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
Microsemi Corporation
CDLL3600
Microsemi Corporation
CDLL4148
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel