codice articolo del costruttore | 2SK3045 |
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Numero di parte futuro | FT-2SK3045 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK3045 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220D-A1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK3045 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK3045-FT |
NP20P04SLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP20P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP22N055SHE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP22N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP32N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP34N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP36P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP50P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP52N055SUG-E1-AY
Renesas Electronics America
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel