casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP22N055SHE-E1-AY
codice articolo del costruttore | NP22N055SHE-E1-AY |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NP22N055SHE-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP22N055SHE-E1-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 (MP-3ZK) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP22N055SHE-E1-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP22N055SHE-E1-AY-FT |
IRLR4343PBF
Infineon Technologies
IRLR4343TR
Infineon Technologies
IRLR4343TRL
Infineon Technologies
IRLR4343TRPBF
Infineon Technologies
IRLR4343TRR
Infineon Technologies
IRLR4343TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR6225PBF
Infineon Technologies
IRLR6225TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZCPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZCTRRP
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel