casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC5880TV2R
codice articolo del costruttore | 2SC5880TV2R |
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Numero di parte futuro | FT-2SC5880TV2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5880TV2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ATV |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5880TV2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC5880TV2R-FT |
BC857BHZGT116
Rohm Semiconductor
BC857BT116
Rohm Semiconductor
BC858BT116
Rohm Semiconductor
BCX17T116
Rohm Semiconductor
BSS4130T116
Rohm Semiconductor
BSS5130T116
Rohm Semiconductor
BSS63T116
Rohm Semiconductor
BSS64T116
Rohm Semiconductor
SST2222AHZGT116
Rohm Semiconductor
SST3904HZGT116
Rohm Semiconductor
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel