casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC857BT116
codice articolo del costruttore | BC857BT116 |
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Numero di parte futuro | FT-BC857BT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC857BT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857BT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC857BT116-FT |
2SAR293PT100
Rohm Semiconductor
2SAR513PT100
Rohm Semiconductor
2SAR514PT100
Rohm Semiconductor
2SAR533PT100
Rohm Semiconductor
2SAR552PT100
Rohm Semiconductor
2SAR553PT100
Rohm Semiconductor
2SAR554PT100
Rohm Semiconductor
2SB1132T100P
Rohm Semiconductor
2SB1132T100Q
Rohm Semiconductor
2SB1132T100R
Rohm Semiconductor
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
P1AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFC672-2
Intel
5SGSED8K2F40I3N
Intel
5SGXMB5R1F43I2N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation