casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BSS4130T116
codice articolo del costruttore | BSS4130T116 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS4130T116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSS4130T116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS4130T116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS4130T116-FT |
2SAR533PT100
Rohm Semiconductor
2SAR552PT100
Rohm Semiconductor
2SAR553PT100
Rohm Semiconductor
2SAR554PT100
Rohm Semiconductor
2SB1132T100P
Rohm Semiconductor
2SB1132T100Q
Rohm Semiconductor
2SB1132T100R
Rohm Semiconductor
2SB1188T100P
Rohm Semiconductor
2SB1189T100Q
Rohm Semiconductor
2SB1189T100R
Rohm Semiconductor
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel