casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BSS63T116
codice articolo del costruttore | BSS63T116 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS63T116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSS63T116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS63T116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS63T116-FT |
2SAR553PT100
Rohm Semiconductor
2SAR554PT100
Rohm Semiconductor
2SB1132T100P
Rohm Semiconductor
2SB1132T100Q
Rohm Semiconductor
2SB1132T100R
Rohm Semiconductor
2SB1188T100P
Rohm Semiconductor
2SB1189T100Q
Rohm Semiconductor
2SB1189T100R
Rohm Semiconductor
2SB1260T100P
Rohm Semiconductor
2SB1308T100P
Rohm Semiconductor