casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BSS63T116
codice articolo del costruttore | BSS63T116 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS63T116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSS63T116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS63T116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS63T116-FT |
2SAR553PT100
Rohm Semiconductor
2SAR554PT100
Rohm Semiconductor
2SB1132T100P
Rohm Semiconductor
2SB1132T100Q
Rohm Semiconductor
2SB1132T100R
Rohm Semiconductor
2SB1188T100P
Rohm Semiconductor
2SB1189T100Q
Rohm Semiconductor
2SB1189T100R
Rohm Semiconductor
2SB1260T100P
Rohm Semiconductor
2SB1308T100P
Rohm Semiconductor
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel