casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC858BT116
codice articolo del costruttore | BC858BT116 |
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Numero di parte futuro | FT-BC858BT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC858BT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC858BT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC858BT116-FT |
2SAR513PT100
Rohm Semiconductor
2SAR514PT100
Rohm Semiconductor
2SAR533PT100
Rohm Semiconductor
2SAR552PT100
Rohm Semiconductor
2SAR553PT100
Rohm Semiconductor
2SAR554PT100
Rohm Semiconductor
2SB1132T100P
Rohm Semiconductor
2SB1132T100Q
Rohm Semiconductor
2SB1132T100R
Rohm Semiconductor
2SB1188T100P
Rohm Semiconductor
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGXEA5H2F35I2LN
Intel
EP3SL200F1152I3
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC7VX330T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation