casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC857BHZGT116
codice articolo del costruttore | BC857BHZGT116 |
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Numero di parte futuro | FT-BC857BHZGT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC857BHZGT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857BHZGT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC857BHZGT116-FT |
2SA1900T100Q
Rohm Semiconductor
2SAR293PT100
Rohm Semiconductor
2SAR513PT100
Rohm Semiconductor
2SAR514PT100
Rohm Semiconductor
2SAR533PT100
Rohm Semiconductor
2SAR552PT100
Rohm Semiconductor
2SAR553PT100
Rohm Semiconductor
2SAR554PT100
Rohm Semiconductor
2SB1132T100P
Rohm Semiconductor
2SB1132T100Q
Rohm Semiconductor
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation