codice articolo del costruttore | 2N5012S |
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Numero di parte futuro | FT-2N5012S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/727 |
2N5012S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 25mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5012S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5012S-FT |
DSC5G03T0L
Panasonic Electronic Components
2SCR542F3TR
Rohm Semiconductor
NSS20500UW3TBG
ON Semiconductor
S1JVNJD2873T4G
ON Semiconductor
SJD32CT4G-VF01
ON Semiconductor
2N2219AE4
Microsemi Corporation
2N2222AE4
Microsemi Corporation
2N2222AL
Microsemi Corporation
2N5962
Central Semiconductor Corp
JAN2N2222AUB
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel