casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS20500UW3TBG
codice articolo del costruttore | NSS20500UW3TBG |
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Numero di parte futuro | FT-NSS20500UW3TBG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS20500UW3TBG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 875mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-WDFN (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS20500UW3TBG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS20500UW3TBG-FT |
2N5686
Microsemi Corporation
2N5781
Microsemi Corporation
2N5782
Microsemi Corporation
2N5783
Microsemi Corporation
2N5784
Microsemi Corporation
2N5785
Microsemi Corporation
2N5838
Microsemi Corporation
2N5840
Microsemi Corporation
2N5868
Microsemi Corporation
2N5872
Microsemi Corporation
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation