casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS20500UW3TBG
codice articolo del costruttore | NSS20500UW3TBG |
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Numero di parte futuro | FT-NSS20500UW3TBG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS20500UW3TBG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 875mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-WDFN (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS20500UW3TBG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS20500UW3TBG-FT |
2N5686
Microsemi Corporation
2N5781
Microsemi Corporation
2N5782
Microsemi Corporation
2N5783
Microsemi Corporation
2N5784
Microsemi Corporation
2N5785
Microsemi Corporation
2N5838
Microsemi Corporation
2N5840
Microsemi Corporation
2N5868
Microsemi Corporation
2N5872
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel