codice articolo del costruttore | 2N5962 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5962 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5962 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 600 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5962 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5962-FT |
2N5838
Microsemi Corporation
2N5840
Microsemi Corporation
2N5868
Microsemi Corporation
2N5872
Microsemi Corporation
2N5874
Microsemi Corporation
2N5875
Microsemi Corporation
2N5876
Microsemi Corporation
2N5877
Microsemi Corporation
2N5879
Microsemi Corporation
2N5880
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP7-6FG456I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB6R2F40C3N
Intel
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
EP2S90F1020I4
Intel