casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N2219AE4
codice articolo del costruttore | 2N2219AE4 |
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Numero di parte futuro | FT-2N2219AE4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2219AE4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2219AE4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2219AE4-FT |
2N5783
Microsemi Corporation
2N5784
Microsemi Corporation
2N5785
Microsemi Corporation
2N5838
Microsemi Corporation
2N5840
Microsemi Corporation
2N5868
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2N5872
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2N5874
Microsemi Corporation
2N5875
Microsemi Corporation
2N5876
Microsemi Corporation
EP1C3T144I7N
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XC3042-100PQ100C
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XC3S400AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
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LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR
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XC5VFX70T-1FF1136CES
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34E1SG
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